2025 年 7 月 22 日，于京畿道城南市韩国半导体财产协会举办的 “商用半导体开发技能钻研会” 上，三星电子 DS 部分半导体研究所下一代研究团队常务董事金年夜宇指出，跟着高带宽内存（HBM）技能的成长，当重叠层数跨越 16 层时，现有的热压键合（TC）技能将没法满意出产需求。为此，三星正预备从 16 层 HBM 最先引入混淆键合技能。
混淆键合是下一代封装技能，与热压键合比拟，它可焊接更多芯片重叠，维持更低的重叠高度并提高热排放效率。该技能无需于 DRAM 内存层之间添加凸点，而是直接使用铜将上基层毗连，能年夜年夜晋升旌旗灯号传输速度，更合适 AI 计较所需的高带宽需求，还有可降低 DRAM 层间的间隔，削减 HBM 模块的总体高度。
此前，三星已经乐成利用混淆键合技能出产出 16 层重叠的 HBM3 内存样品，且该样品运行正常，将来规划把 16 层重叠的混淆键合技能运用在 HBM4 内存的年夜范围出产
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